台积电(TSMC)将在2纳米制程节点首次引入全栅极场效应晶体管(GAAFET),并结合NanoFlex技术,为芯片设计师提供更多的标准元件选择。与现有的N3E工艺相比,N2工艺在相同功率下预计性能提升10%至15%,或在相同频率下功耗降低25%至30%,同时晶体管密度增加15%。

台积电2nm工艺涨价趋势:晶圆成本或突破3万美元大关

据媒体报道,台积电每片300毫米的2纳米晶圆价格可能超过3万美元,高于之前预估的2.5万美元。目前,3纳米晶圆价格约为1.85万至2万美元,而4/5纳米晶圆则在1.5万到1.6万美元之间。因此,2纳米晶圆价格显然会显著上涨。需要注意的是,台积电的报价受到多种因素影响,包括客户类型和订单量,一些客户可能享有优惠,因此3万美元只是一个大致估算。

为了满足市场对2纳米技术的强烈需求,台积电正在加大对该制程节点的投资。2纳米晶圆厂将位于台湾北部(新竹宝山)、中部(台中中科)和南部(高雄楠梓)。新工艺将增加极紫外光刻步骤,并可能采用双重曝光,这无疑会使成本高于3纳米制程。

台积电计划在2025年下半年开始批量生产N2工艺芯片,客户最早可在2026年收到首批产品。苹果预计将成为首个采用该技术的客户。